规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(64)
分立半导体产品
(64)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (7)
IXYS (5)
Nexperia USA Inc. (2)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (21)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (4)
STMicroelectronics (7)
Texas Instruments (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF44N10
仓库库存编号:
FQAF44N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 48A(Tc) 180W(Tc) TO-3P
型号:
FQA44N10
仓库库存编号:
FQA44N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
FQH44N10
仓库库存编号:
FQH44N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV22N60P
仓库库存编号:
IXTV22N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 22A(Tc) 400W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV22N60PS
仓库库存编号:
IXTV22N60PS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43.5A(Tc) 146W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP44N10F
仓库库存编号:
FQP44N10F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK4016(Q)
仓库库存编号:
2SK4016(Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 12A(Ta) 40W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN120N25FU6
仓库库存编号:
RDN120N25FU6-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-251A
型号:
AOI530
仓库库存编号:
785-1649-5-ND
别名:785-1649-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44N,127
仓库库存编号:
IRFZ44N,127-ND
别名:934055538127
IRFZ44NP
IRFZ44NP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06NGAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06NGAKSA1-ND
别名:IPP120N06N G
IPP120N06N G-ND
IPP120N06NGIN
IPP120N06NGIN-ND
IPP120N06NGX
IPP120N06NGXK
SP000204175
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N06N G
仓库库存编号:
IPB120N06NGINCT-ND
别名:IPB120N06NG
IPB120N06NGINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),78W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BS7067N06LS3G
仓库库存编号:
BS7067N06LS3GINCT-ND
别名:BS7067N06LS3GINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PLGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PLGHKSA1-ND
别名:SP000212234
SPP15P10PL G
SPP15P10PL G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号