品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N08-16-E3
仓库库存编号:
SUD40N08-16-E3CT-ND
别名:SUD40N08-16-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 32.1A(Tc) 7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4062DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4062DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4062DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA82EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC40GPBF-ND
别名:*IRFIBC40GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.75W(Ta),166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N15-38-E3
仓库库存编号:
SUM40N15-38-E3CT-ND
别名:SUM40N15-38-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR892DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR892DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR892DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC40STRLPBFCT-ND
别名:IRFBC40STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40PBF
仓库库存编号:
IRFBC40PBF-ND
别名:*IRFBC40PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40PBF
仓库库存编号:
IRFPC40PBF-ND
别名:*IRFPC40PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR890DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR890DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR890DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名:SUD40N10-25-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS626DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS626DN-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ858EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ858EP-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQP25N15-52_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),4.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4636DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC40LPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LPBF-ND
别名:*IRFBC40LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40G
仓库库存编号:
IRFIBC40G-ND
别名:*IRFIBC40G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40
仓库库存编号:
IRFBC40-ND
别名:*IRFBC40
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40S
仓库库存编号:
IRFBC40S-ND
别名:*IRFBC40S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40
仓库库存编号:
IRFPC40-ND
别名:*IRFPC40
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40L
仓库库存编号:
IRFBC40L-ND
别名:*IRFBC40L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRL
仓库库存编号:
IRFBC40STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRR
仓库库存编号:
IRFBC40STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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