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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N50D2
  仓库库存编号：IXTY08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N50D2
  仓库库存编号：IXTP08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N50D2
  仓库库存编号：IXTA08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 550mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E100XNTR
  仓库库存编号：RQ1E100XNTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RXH125N03TB1
  仓库库存编号：RXH125N03TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E125XNTR
  仓库库存编号：RP1E125XNCT-ND
  别名：RP1E125XNTRCT
  RP1E125XNTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.7nC @ 5V,
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