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• IXYS
  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTA1N200P3HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH1N200P3
  仓库库存编号：IXTH1N200P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N200P3HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Tc） 4W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3481EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3481EV-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），24A（Tc） 4.2W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6206
  仓库库存编号：785-1400-1-ND
  别名：785-1400-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），54A（Tc） 2.7W（Ta），62W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1206
  仓库库存编号：AOL1206-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23.5nC @ 10V,
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