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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN4A06GTA
仓库库存编号:
ZXMN4A06GCT-ND
别名:ZXMN4A06GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 820mW(Ta),25.5W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C08NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4C08NTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C08NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C08NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C08NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S410ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S410ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S410ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),52A(Tc) 2.51W(Ta),25.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C027NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C027NT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),52A(Tc) 2.51W(Ta),25.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C027NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C027NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 820mW(Ta),25.5W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C08NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4C08NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),52A(Tc) 2.51W(Ta),25.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C08NAT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C08NAT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C08NTWG
仓库库存编号:
NVTFS4C08NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C08NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4C08NWFTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C08NTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C08NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C08NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C08NWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 113W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H600SH3
仓库库存编号:
DMJ70H600SH3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.2nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C08NT1G-001
仓库库存编号:
NTMFS4C08NT1G-001-ND
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