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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6407
  仓库库存编号：785-1421-1-ND
  别名：785-1421-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4447A
  仓库库存编号：785-1198-1-ND
  别名：785-1198-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83.3W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7520
  仓库库存编号：785-1633-1-ND
  别名：785-1633-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4154DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4154DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4154DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 121W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-25YL,115
  仓库库存编号：1727-4277-1-ND
  别名：1727-4277-1
  568-4909-1
  568-4909-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460APBF
  仓库库存编号：IRFP460APBF-ND
  别名：*IRFP460APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7236DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7236DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7236DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60W5S1VF-ND
  别名：TK31N60W5,S1VF(S
  TK31N60W5,S1VF-ND
  TK31N60W5S1VF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA28N50F
  仓库库存编号：FDA28N50F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA28N50
  仓库库存编号：FDA28N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：TK31V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60W5LVQCT-ND
  别名：TK31V60W5LVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 15.0A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF17N62K3
  仓库库存编号：497-12571-5-ND
  别名：497-12571-5
  STF17N62K3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N95K3
  仓库库存编号：497-11148-5-ND
  别名：497-11148-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR438DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR438DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR438DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF220N80
  仓库库存编号：FCPF220N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP220N80
  仓库库存编号：FCP220N80-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB47N10S-33
  仓库库存编号：IPB47N10S33ATMA1CT-ND
  别名：IPB47N10S-33CT
  IPB47N10S-33CT-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N80P
  仓库库存编号：IXFH24N80P-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4126DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4126DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4126DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA36P15
  仓库库存编号：FQA36P15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA46EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA46EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6405L
  仓库库存编号：785-1340-1-ND
  别名：785-1340-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N04-3M6_GE3
  仓库库存编号：SQD100N04-3M6_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N04-3M6L_GE3
  仓库库存编号：SQD100N04-3M6L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
  
  型号：SQR50N04-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQR50N04-3M8_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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