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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50N04-4M1_GE3
  仓库库存编号：SQM50N04-4M1_GE3-ND
  别名：SQM50N04-4M1-GE3
  SQM50N04-4M1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7236DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7236DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ64N25P
  仓库库存编号：IXTQ64N25P-ND
  别名：Q2310188
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT64N25P
  仓库库存编号：IXTT64N25P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N80P
  仓库库存编号：IXFK24N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH66N20Q
  仓库库存编号：IXFH66N20Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N80P
  仓库库存编号：IXFR24N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S402ATMA1-ND
  别名：SP001007758
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA2-ND
  别名：SP001061720
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA2-ND
  别名：SP001061718
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI47N10S33AKSA1
  仓库库存编号：IPI47N10S33AKSA1-ND
  别名：IPI47N10S-33
  IPI47N10S-33-ND
  SP000225703
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460A
  仓库库存编号：IRFP460A-ND
  别名：*IRFP460A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2140H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2140H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA36P15_F109
  仓库库存编号：FQA36P15_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055X1-SL
  仓库库存编号：GWM160-0055X1-SL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055X1-SLSAM
  仓库库存编号：GWM160-0055X1-SLSAM-ND
  别名：GWM160-0055X1-SL SAM
  GWM160-0055X1-SL SAM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055X1-SMD
  仓库库存编号：GWM160-0055X1-SMD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055X1-SMDSAM
  仓库库存编号：GWM160-0055X1-SMDSAM-ND
  别名：GWM160-0055X1-SMD SAM
  GWM160-0055X1-SMD SAM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（M）
  
  型号：SIE860DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE860DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE860DF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 110A（Tc） 3.75W（Ta），208.3W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N08-07P-E3
  仓库库存编号：SUM110N08-07P-E3CT-ND
  别名：SUM110N08-07P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1225AL,115
  仓库库存编号：PH1225AL,115-ND
  别名：934064141115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 37A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE804DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE804DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（M）
  
  型号：SIE860DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE860DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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