规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(54)
分立半导体产品
(54)
筛选品牌
Infineon Technologies (32)
ON Semiconductor (15)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (2)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NTMD6P02R2G
仓库库存编号：
NTMD6P02R2GOSCT-ND
别名：NTMD6P02R2GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.95A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5P02R2G
仓库库存编号：
NTMS5P02R2GOSCT-ND
别名：NTMS5P02R2GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RZQ050P01TR
仓库库存编号：
RZQ050P01CT-ND
别名：RZQ050P01CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8113PBF
仓库库存编号：
IRL8113PBF-ND
别名：*IRL8113PBF
SP001576430
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Tj） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS4101PT1G
仓库库存编号：
NTHS4101PT1GOSCT-ND
别名：NTHS4101PT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS28DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.95A（Ta） 8-SOIC
型号：
NVMS5P02R2G
仓库库存编号：
NVMS5P02R2G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NVMD6P02R2G
仓库库存编号：
NVMD6P02R2G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Tc） 3.2W（Tc） 8-SO
型号：
STS17NF3LL
仓库库存编号：
497-3224-1-ND
别名：497-3224-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NHS3LL
仓库库存编号：
STSJ100NHS3LL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.4A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4P01R2
仓库库存编号：
NTMS4P01R2OS-ND
别名：NTMS4P01R2OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03
仓库库存编号：
NTD78N03-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-001
仓库库存编号：
NTD78N03-001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-035
仓库库存编号：
NTD78N03-035-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-1G
仓库库存编号：
NTD78N03-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-35G
仓库库存编号：
NTD78N03-35G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03T4
仓库库存编号：
NTD78N03T4-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NTMD6P02R2SG
仓库库存编号：
NTMD6P02R2SG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03T4G
仓库库存编号：
NTD78N03T4GOSCT-ND
别名：NTD78N03T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.95A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5P02R2SG
仓库库存编号：
NTMS5P02R2SGOSCT-ND
别名：NTMS5P02R2SGOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7440DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7440DP-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7440DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7440DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Tc） 8.3W（Ta），71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N02-08-E3
仓库库存编号：
SUD40N02-08-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459
仓库库存编号：
IRF7459-ND
别名：*IRF7459
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
