规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706
仓库库存编号：
IRF3706-ND
别名：*IRF3706
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706L
仓库库存编号：
IRF3706L-ND
别名：*IRF3706L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRL
仓库库存编号：
IRF3706STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRR
仓库库存编号：
IRF3706STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459TR
仓库库存编号：
IRF7459TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706
仓库库存编号：
IRFR3706-ND
别名：*IRFR3706
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706
仓库库存编号：
IRFU3706-ND
别名：*IRFU3706
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TR
仓库库存编号：
IRFR3706TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRL
仓库库存编号：
IRFR3706TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRR
仓库库存编号：
IRFR3706TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113STRL
仓库库存编号：
IRL8113STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113STRR
仓库库存编号：
IRL8113STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8113
仓库库存编号：
IRL8113-ND
别名：*IRL8113
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-262
型号：
IRL8113L
仓库库存编号：
IRL8113L-ND
别名：*IRL8113L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113S
仓库库存编号：
IRL8113S-ND
别名：*IRL8113S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706PBF
仓库库存编号：
IRF3706PBF-ND
别名：*IRF3706PBF
SP001563152
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706LPBF
仓库库存编号：
IRF3706LPBF-ND
别名：*IRF3706LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706SPBF
仓库库存编号：
IRF3706SPBF-ND
别名：*IRF3706SPBF
SP001561640
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706PBF
仓库库存编号：
IRFU3706PBF-ND
别名：*IRFU3706PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-262
型号：
IRL8113LPBF
仓库库存编号：
IRL8113LPBF-ND
别名：*IRL8113LPBF
SP001569020
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3706PBFCT-ND
别名：*IRFR3706TRPBF
IRFR3706PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706CPBF
仓库库存编号：
IRFR3706CPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3706-701PBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3706STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706CTRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3706CTRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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