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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），32A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD482
  仓库库存编号：785-1224-1-ND
  别名：785-1224-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86101DC
  仓库库存编号：FDMS86101DCCT-ND
  别名：FDMS86101DCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1700V 2.6A
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW3N170
  仓库库存编号：497-16308-5-ND
  别名：497-16308-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR468DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR468DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR468DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP6A18KTC
  仓库库存编号：ZXMP6A18KTCCT-ND
  别名：ZXMP6A18KTCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），60W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC2514SDC
  仓库库存编号：FDMC2514SDCCT-ND
  别名：FDMC2514SDCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 176W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R180P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R180P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R180P6AUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9640PBF
  仓库库存编号：IRF9640PBF-ND
  别名：*IRF9640PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9240PBF
  仓库库存编号：IRFP9240PBF-ND
  别名：*IRFP9240PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 6.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9640GPBF
  仓库库存编号：IRFI9640GPBF-ND
  别名：*IRFI9640GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4618DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4618DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4618DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3672
  仓库库存编号：FDMS3672CT-ND
  别名：FDMS3672CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250C6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250C6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250C6XTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI530NPBF
  仓库库存编号：IRFI530NPBF-ND
  别名：*IRFI530NPBF
  SP001554868
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 160mW TO-247-3
  
  型号：STW3N170
  仓库库存编号：497-16332-5-ND
  别名：497-16332-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF9640STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9640STRRPBFCT-ND
  别名：IRF9640STRRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017082
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB22NM60N
  仓库库存编号：497-10298-1-ND
  别名：497-10298-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R160P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R160P6FKSA1-ND
  别名：SP001017092
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI20NM65N
  仓库库存编号：497-14556-5-ND
  别名：497-14556-5
  STFI20NM65N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR172ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR172ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR172ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7672
  仓库库存编号：FDMS7672CT-ND
  别名：FDMS7672CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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