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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP22NM60N
  仓库库存编号：497-10306-5-ND
  别名：497-10306-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF22NM60N
  仓库库存编号：497-10301-5-ND
  别名：497-10301-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 28W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS472ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS472ADN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 102W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6213-30A,118
  仓库库存编号：BUK6213-30A,118-ND
  别名：934058001118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.4W（Ta）, 62W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3003LFG-13
  仓库库存编号：DMT3003LFG-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.4W（Ta）, 62W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3003LFG-7
  仓库库存编号：DMT3003LFG-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.4A（Ta），25A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3004LFG-13
  仓库库存编号：DMT3004LFG-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.4A（Ta），25A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3004LFG-7
  仓库库存编号：DMT3004LFG-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ464EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ464EP-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4482
  仓库库存编号：AO4482-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），28A（Tc） 1.9W（Ta），75W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1482
  仓库库存编号：AOL1482-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 21A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），75A（Tc） 107W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH3004LK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH3004LK3Q-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4168DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4168DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4168DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4618DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4618DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9640LPBF
  仓库库存编号：IRF9640LPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.1A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  
  型号：BFL4001-1E
  仓库库存编号：BFL4001-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），104A（Tc） 3.3W（Ta），138W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B05NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B05NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B05NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR2905ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR2905ZTRL-ND
  别名：SP001520228
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD033N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD033N06NATMA1-ND
  别名：SP001602182
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.1A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7341GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7341GTRPBF-ND
  别名：SP001563394
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 69A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA040N06NXKSA1
  仓库库存编号：IPA040N06NXKSA1-ND
  别名：SP001196264
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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