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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R160P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R160P6ATMA1-ND
  别名：SP001313876
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 28A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB50N25M5
  仓库库存编号：497-10024-1-ND
  别名：497-10024-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW22NM60N
  仓库库存编号：497-10998-5-ND
  别名：497-10998-5
  STW22NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NM65N
  仓库库存编号：497-11867-5-ND
  别名：497-11867-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP20NM65N
  仓库库存编号：497-11872-5-ND
  别名：497-11872-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9640
  仓库库存编号：IRF9640-ND
  别名：*IRF9640
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9240
  仓库库存编号：IRFP9240-ND
  别名：*IRFP9240
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9640S
  仓库库存编号：IRF9640S-ND
  别名：*IRF9640S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9640STRL
  仓库库存编号：IRF9640STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9640G
  仓库库存编号：IRFI9640G-ND
  别名：*IRFI9640G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9640L
  仓库库存编号：IRF9640L-ND
  别名：*IRF9640L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9640STRR
  仓库库存编号：IRF9640STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4486EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4486EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4486EY-T1-E3CT
  SI4486EYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SK3707
  仓库库存编号：869-1038-ND
  别名：869-1038
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP203-TL-H
  仓库库存编号：869-1079-1-ND
  别名：869-1079-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4486EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4486EY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44.5A（Tc） 5.2W（Ta），25W（Tc） 10-PolarPAK?（U）
  
  型号：SIE844DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE844DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44.5A（Tc） 5.2W（Ta），25W（Tc） 10-PolarPAK?（U）
  
  型号：SIE844DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE844DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.1A（Ta） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：BFL4001
  仓库库存编号：BFL4001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3820-DL-E
  仓库库存编号：2SK3820-DL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 5A（Ta），32A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI482
  仓库库存编号：AOI482-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220F-3SG
  
  型号：2SK3707-1E
  仓库库存编号：2SK3707-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 26A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK3820-DL-1E
  仓库库存编号：2SK3820-DL-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M020A050F
  仓库库存编号：GP2M020A050F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M020A050N
  仓库库存编号：GP2M020A050N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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