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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M020A050H
  仓库库存编号：1560-1213-5-ND
  别名：1560-1213-1
  1560-1213-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4482L_102
  仓库库存编号：AO4482L_102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI530N
  仓库库存编号：IRFI530N-ND
  别名：*IRFI530N
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRL
  仓库库存编号：IRFR3910TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910
  仓库库存编号：IRFU3910-ND
  别名：*IRFU3910
  SP001578418
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRR
  仓库库存编号：IRFR3910TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751
  仓库库存编号：IRF7751-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751TR
  仓库库存编号：IRF7751TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2905ZTR
  仓库库存编号：IRFR2905ZTR-ND
  别名：SP001566952
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2905ZTRL
  仓库库存编号：IRFR2905ZTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2905ZTRR
  仓库库存编号：IRFR2905ZTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU2905Z
  仓库库存编号：IRFU2905Z-ND
  别名：*IRFU2905Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU2905ZPBF
  仓库库存编号：IRFU2905ZPBF-ND
  别名：*IRFU2905ZPBF
  SP001550254
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910CPBF
  仓库库存编号：IRFR3910CPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7341QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7341QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7341QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7751GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7751GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751TRPBF
  仓库库存编号：IRF7751TRPBFCT-ND
  别名：IRF7751TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 54A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP16CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP16CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP16CN10L G
  IPP16CN10L G-ND
  SP000308793
  SP000680878
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
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