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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 2.7W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4825DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4825DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4825DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8638
  仓库库存编号：FDS8638CT-ND
  别名：FDS8638CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7660
  仓库库存编号：FDMC7660CT-ND
  别名：FDMC7660CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta）、 85A（Tc） 7.4W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6278
  仓库库存编号：785-1612-1-ND
  别名：785-1612-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86300
  仓库库存编号：FDMS86300CT-ND
  别名：FDMS86300CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R150CFDXKSA1-ND
  别名：SP000907024
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N25N3 G
  仓库库存编号：IPP200N25N3 G-ND
  别名：IPP200N25N3G
  IPP200N25N3GXKSA1
  SP000677894
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010EZSTRLP
  仓库库存编号：IRF1010EZSTRLPCT-ND
  别名：IRF1010EZSTRLPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R150CFDXKSA1-ND
  别名：SP000907026
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP22N60E-E3-ND
  别名：SIHP22N60EE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG22N60E-E3-ND
  别名：SIHG22N60EE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 61A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP220N25NFDAKSA1
  仓库库存编号：IPP220N25NFDAKSA1-ND
  别名：SP001108126
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHP25N50E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60E-E3-ND
  别名：SIHA22N60E-E3CT
  SIHA22N60E-E3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-E3-ND
  别名：SIHB22N60EE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc）
  
  型号：SIHP22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60E-GE3-ND
  别名：SIHP22N60E-GE3CT
  SIHP22N60E-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 74A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP120N10
  仓库库存编号：FDP120N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB120N10
  仓库库存编号：FDB120N10CT-ND
  别名：FDB120N10CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF22N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF22N60E-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDATMA1CT-ND
  别名：IPB65R150CFDATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N25N3 G
  仓库库存编号：IPB200N25N3 GCT-ND
  别名：IPB200N25N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010EZPBF
  仓库库存编号：IRF1010EZPBF-ND
  别名：*IRF1010EZPBF
  SP001571244
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60WS1VF-ND
  别名：TK31N60W,S1VF(S
  TK31N60WS1VF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB23N20DPBF-ND
  别名：*IRFB23N20DPBF
  SP001564048
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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