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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK31J60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK31J60WS1VQ-ND
别名：TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76639S3ST
仓库库存编号：
HUF76639S3STFSCT-ND
别名：HUF76639S3STFSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76639S3ST_F085
仓库库存编号：
HUF76639S3ST_F085CT-ND
别名：HUF76639S3ST_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C410NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH21N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK764R0-55B,118
仓库库存编号：
1727-5254-1-ND
别名：1727-5254-1
568-6578-1
568-6578-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号：
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名：IRFS23N20DTRLPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60E-GE3-ND
别名：SIHB22N60EGE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN3008SFG-7
仓库库存编号：
DMN3008SFG-7DICT-ND
别名：DMN3008SFG-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA25N50E-E3
仓库库存编号：
SIHA25N50E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHG25N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN3008SFGQ-13
仓库库存编号：
DMN3008SFGQ-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN3008SFGQ-7
仓库库存编号：
DMN3008SFGQ-7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 15A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Ta），220A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB1404L
仓库库存编号：
785-1320-1-ND
别名：785-1320-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 15A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），220A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-220
型号：
AOT1404L
仓库库存编号：
785-1410-5-ND
别名：785-1410-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT1G
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 500V
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB25N50E-GE3
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SIHB25N50E-GE3-ND
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