以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP10A16KTC
  仓库库存编号：ZXMP10A16KCT-ND
  别名：ZXMP10A16KCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N80K5
  仓库库存编号：497-13643-1-ND
  别名：497-13643-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N65M2
  仓库库存编号：497-15531-5-ND
  别名：497-15531-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3N80C
  仓库库存编号：FQP3N80CFS-ND
  别名：FQP3N80C-ND
  FQP3N80CFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI8N80K5
  仓库库存编号：497-13868-5-ND
  别名：497-13868-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-251
  
  型号：STU8N80K5
  仓库库存编号：497-13658-5-ND
  别名：497-13658-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP8N80K5
  仓库库存编号：497-13655-5-ND
  别名：497-13655-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19.5A（Tc） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP3036SSS-13
  仓库库存编号：DMP3036SSS-13DICT-ND
  别名：DMP3036SSS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 10.6A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMP3036SSD-13
  仓库库存编号：DMP3036SSD-13DICT-ND
  别名：DMP3036SSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N60DM2
  仓库库存编号：497-16925-1-ND
  别名：497-16925-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N65M2
  仓库库存编号：497-15458-1-ND
  别名：497-15458-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N80K5
  仓库库存编号：497-13778-1-ND
  别名：497-13778-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP322PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP322PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11N60DM2
  仓库库存编号：497-16960-ND
  别名：497-16960
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP11N60DM2
  仓库库存编号：497-16932-ND
  别名：497-16932
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 94W（Tc） TO-263
  
  型号：R6009KNJTL
  仓库库存编号：R6009KNJTLCT-ND
  别名：R6009KNJTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 48W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6009KNX
  仓库库存编号：R6009KNX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.7A（Ta） 950mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3036SFG-7
  仓库库存编号：DMP3036SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3036SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 100V 13A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL13DP10F6
  仓库库存编号：497-14987-1-ND
  别名：497-14987-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86141
  仓库库存编号：FDS86141CT-ND
  别名：FDS86141CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10P10F6
  仓库库存编号：497-16300-1-ND
  别名：497-16300-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8N80K5
  仓库库存编号：497-13645-5-ND
  别名：497-13645-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4979N-35G
  仓库库存编号：NTD4979N-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N80C
  仓库库存编号：FQPF3N80C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF3N80CYDTU
  仓库库存编号：FQPF3N80CYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索