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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8447L_F085
  仓库库存编号：FDD8447L_F085CT-ND
  别名：FDD8447L_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60F
  仓库库存编号：FCP11N60FFS-ND
  别名：FCP11N60F-ND
  FCP11N60FFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C628NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8447L
  仓库库存编号：FDB8447LCT-ND
  别名：FDB8447LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB11N50APBF
  仓库库存编号：IRFB11N50APBF-ND
  别名：*IRFB11N50APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ025N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ025N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ025N04LSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50APBF
  仓库库存编号：IRFIB7N50APBF-ND
  别名：*IRFIB7N50APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 203W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK765R2-40B,118
  仓库库存编号：1727-4706-1-ND
  别名：1727-4706-1
  568-5856-1
  568-5856-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R7-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5898-ND
  别名：1727-5898
  568-7517-5
  568-7517-5-ND
  934064001127
  PSMN8R7-80PS,127-ND
  PSMN8R780PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60F
  仓库库存编号：FCPF11N60F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60
  仓库库存编号：FCP11N60-ND
  别名：FCP11N60_NL
  FCP11N60_NL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R165CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R165CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R165CP
  IPP60R165CP-ND
  IPP60R165CPX
  IPP60R165CPXK
  SP000084279
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC034N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC034N03LSGATMA1TR-ND
  别名：BSC034N03LS G
  BSC034N03LS G-ND
  SP000475948
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 88W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8796
  仓库库存编号：FDD8796CT-ND
  别名：FDD8796CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tj） D-PAK（TO-252）
  
  型号：FDD86569_F085
  仓库库存编号：FDD86569_F085CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），44W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8447L
  仓库库存编号：FDD8447LCT-ND
  别名：FDD8447LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8026S
  仓库库存编号：FDMC8026SCT-ND
  别名：FDMC8026SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD100N19TL
  仓库库存编号：RCD100N19TLCT-ND
  别名：RCD100N19TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86569_F085
  仓库库存编号：FDB86569_F085CT-ND
  别名：FDB86569_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A LTPS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ400N06TL
  仓库库存编号：RSJ400N06TLCT-ND
  别名：RSJ400N06TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB11N60TM
  仓库库存编号：FCB11N60TMCT-ND
  别名：FCB11N60TM_NLCT
  FCB11N60TM_NLCT-ND
  FCB11N60TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9388TRPBF
  仓库库存编号：IRF9388TRPBFCT-ND
  别名：IRF9388TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R165CP
  仓库库存编号：IPB60R165CPCT-ND
  别名：IPB60R165CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS11N50APBF
  仓库库存编号：IRFS11N50APBF-ND
  别名：*IRFS11N50APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta），41A（Tc） 2.2W（Ta）, 36.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF296L
  仓库库存编号：785-1772-ND
  别名：785-1772
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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