品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB11N50APBF
仓库库存编号:
IRFB11N50APBF-ND
别名:*IRFB11N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50APBF
仓库库存编号:
IRFIB7N50APBF-ND
别名:*IRFIB7N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50APBF
仓库库存编号:
IRFS11N50APBF-ND
别名:*IRFS11N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD9N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHD9N60E-GE3CT-ND
别名:SIHD9N60E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N05-11L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N05-11L_GE3-ND
别名:SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS11N50A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS11N50A-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHFB11N50A-E3
仓库库存编号:
SIHFB11N50A-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRLP-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRRP-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB11N50A
仓库库存编号:
IRFB11N50A-ND
别名:*IRFB11N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.6A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50A
仓库库存编号:
IRFIB7N50A-ND
别名:*IRFIB7N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50A
仓库库存编号:
IRFS11N50A-ND
别名:*IRFS11N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRL
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRL-ND
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型号:
IRFS11N50ATRR
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