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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC0310AS
仓库库存编号：
FDMC0310ASCT-ND
别名：FDMC0310ASCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI7N80TU
仓库库存编号：
FQI7N80TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN8R7-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7217-1-ND
别名：1727-7217-1
568-9708-1
568-9708-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9328TRPBF
仓库库存编号：
IRF9328TRPBFCT-ND
别名：IRF9328TRPBFCT
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N15
仓库库存编号：
FQA28N15-ND
别名：Q2458553
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD9N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD9N60E-GE3CT-ND
别名：SIHD9N60E-GE3CT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM60D
仓库库存编号：
497-6193-1-ND
别名：497-6193-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R165CP
仓库库存编号：
IPW60R165CP-ND
别名：IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 5A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta），31.5A（Tc） 2.1W（Ta），83.3W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB409L
仓库库存编号：
AOB409L-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 5.4A TO220FL
详细描述：通孔 P 沟道 5.4A（Ta），24A（Tc） 2.16W（Ta），43W（Tc） TO-220FL
型号：
AOTF409
仓库库存编号：
AOTF409-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 50A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50N05-11L_GE3
仓库库存编号：
SQD50N05-11L_GE3-ND
别名：SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT3G-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.5A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），107W（Tc） TO-220
型号：
AOT296L
仓库库存编号：
AOT296L-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 104W（Tc） TO-262
型号：
AOW296
仓库库存编号：
AOW296-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.5A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），107W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB296L
仓库库存编号：
AOB296L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60
仓库库存编号：
FCPF11N60-ND
别名：FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHFS11N50A-GE3
仓库库存编号：
SIHFS11N50A-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFT1G-ND
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MOSFET N-CH 60V SO8FL
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