以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2171H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2171H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK42A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK42A12N1S4X-ND
  别名：TK42A12N1,S4X(S
  TK42A12N1,S4X-ND
  TK42A12N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHFB11N50A-E3
  仓库库存编号：SIHFB11N50A-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60T
  仓库库存编号：FCPF11N60T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRFS11N50ATRLP
  仓库库存编号：IRFS11N50ATRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS11N50ATRRP
  仓库库存编号：IRFS11N50ATRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP26P10T
  仓库库存编号：IXTP26P10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY26P10T
  仓库库存编号：IXTY26P10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA26P10T
  仓库库存编号：IXTA26P10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP24N60C5
  仓库库存编号：IXKP24N60C5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP24N60C5M
  仓库库存编号：IXKP24N60C5M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC15N60C5
  仓库库存编号：IXKC15N60C5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH24N60C5
  仓库库存编号：IXKH24N60C5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM15-06KC5
  仓库库存编号：FDM15-06KC5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD15-06KC5
  仓库库存编号：FMD15-06KC5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S214ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA2-ND
  别名：SP001063624
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288136
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288150
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R165CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R165CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R165CP
  IPA60R165CP-ND
  SP000096437
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R165CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R165CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R165CP
  IPI60R165CP-ND
  SP000276736
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 203W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK755R2-40B,127
  仓库库存编号：568-5721-5-ND
  别名：568-5721
  568-5721-5
  568-5721-ND
  934057704127
  BUK755R2-40B
  BUK755R2-40B,127-ND
  BUK755R2-40B-ND
  BUK755R240B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB11N50A
  仓库库存编号：IRFB11N50A-ND
  别名：*IRFB11N50A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50A
  仓库库存编号：IRFIB7N50A-ND
  别名：*IRFIB7N50A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS11N50A
  仓库库存编号：IRFS11N50A-ND
  别名：*IRFS11N50A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS11N50ATRL
  仓库库存编号：IRFS11N50ATRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索