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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS11N50ATRR
  仓库库存编号：IRFS11N50ATRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI11N60
  仓库库存编号：FCI11N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 16.7A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF28N15
  仓库库存编号：FQPF28N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 16.7A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF28N15T
  仓库库存编号：FQPF28N15T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 22A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF28N15
  仓库库存编号：FQAF28N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80
  仓库库存编号：FQP7N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.8A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80
  仓库库存编号：FQPF7N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N90
  仓库库存编号：FQP6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.4A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90
  仓库库存编号：FQPF6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N80TM_AM002
  仓库库存编号：FQB7N80TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N90TM_AM002
  仓库库存编号：FQB6N90TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF7N80
  仓库库存编号：FQAF7N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N80
  仓库库存编号：FQA7N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.5A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF6N90
  仓库库存编号：FQAF6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 210W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N90M
  仓库库存编号：FQA7N90M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.4A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA6N90
  仓库库存编号：FQA6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU8796
  仓库库存编号：FDU8796-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB11N60FTM
  仓库库存编号：FCB11N60FTMCT-ND
  别名：FCB11N60FTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.4A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90_F109
  仓库库存编号：FQA6N90_F109-ND
  别名：FQA6N90-F109
  FQA6N90-F109-ND
  Q3402555
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4427
  仓库库存编号：785-1027-1-ND
  别名：785-1027-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4708
  仓库库存编号：785-1049-1-ND
  别名：785-1049-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N15_F109
  仓库库存编号：FQA28N15_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N80_F109
  仓库库存编号：FQA7N80_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 210W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N90M_F109
  仓库库存编号：FQA7N90M_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU8796_F071
  仓库库存编号：FDU8796_F071-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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