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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA415DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA415DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA415DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW12N150K5
  仓库库存编号：497-16027-5-ND
  别名：497-16027-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3008SFG-7
  仓库库存编号：DMP3008SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3008SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 42A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6358
  仓库库存编号：785-1739-1-ND
  别名：785-1739-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N04LS GCT
  BSC050N04LS GCT-ND
  BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS4435BZ
  仓库库存编号：FDMS4435BZCT-ND
  别名：FDMS4435BZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD16AN08A0
  仓库库存编号：FDD16AN08A0CT-ND
  别名：FDD16AN08A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-GE3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8876
  仓库库存编号：FDD8876CT-ND
  别名：FDD8876CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8025S
  仓库库存编号：FDMS8025SCT-ND
  别名：FDMS8025SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA16DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA16DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF06N60ZG
  仓库库存编号：NDF06N60ZGOS-ND
  别名：NDF06N60ZG-ND
  NDF06N60ZGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA16DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA16DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA16DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 21A PT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0309AS
  仓库库存编号：FDMS0309ASCT-ND
  别名：FDMS0309ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3008SFGQ-7
  仓库库存编号：DMP3008SFGQ-7DICT-ND
  别名：DMP3008SFGQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 28A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP52N25M5
  仓库库存编号：497-11233-5-ND
  别名：497-11233-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 24A PT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0308AS
  仓库库存编号：FDMS0308ASCT-ND
  别名：FDMS0308ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD35N10-26P-E3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-E3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N60M2
  仓库库存编号：497-14969-1-ND
  别名：497-14969-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF06N60ZH
  仓库库存编号：NDF06N60ZHOS-ND
  别名：NDF06N60ZH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD16AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDD16AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDD16AN08A0_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），50A（Tc） 3.7W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6770A
  仓库库存编号：FDD6770ACT-ND
  别名：FDD6770ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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