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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRLR9343TRPBF
  仓库库存编号：IRLR9343TRPBFCT-ND
  别名：IRLR9343TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR872ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR872ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR872ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB9343PBF
  仓库库存编号：IRLIB9343PBF-ND
  别名：*IRLIB9343PBF
  SP001558256
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR436DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR436DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR436DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP62NS04Z
  仓库库存编号：497-5896-5-ND
  别名：497-5896-5
  STP62NS04Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13NK50Z
  仓库库存编号：497-7467-5-ND
  别名：497-7467-5
  STF13NK50Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2815T1S-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2815T1S-E2-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y22-100EX
  仓库库存编号：1727-1485-1-ND
  别名：1727-1485-1
  568-10965-1
  568-10965-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A103PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A103PZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A107PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A107PLZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 3.9W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SQ4282EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4282EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 10A（Tc） 107W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD10N30-330H_GE3
  仓库库存编号：SQD10N30-330H_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT14N50FD
  仓库库存编号：AOT14N50FD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NAFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFAFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NAFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-T4GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-T4GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFAFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR872ADP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR872ADP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H5N2522LSTL-E
  仓库库存编号：H5N2522LSTL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP24N60X
  仓库库存编号：IXFP24N60X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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