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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R4N60P
仓库库存编号:
IXTY1R4N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N25
仓库库存编号:
FQPF3N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3421
仓库库存编号:
AO3421-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M70TB1
仓库库存编号:
SP8M70TB1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R4N60P
仓库库存编号:
IXTP1R4N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-251
型号:
IXTU1R4N60P
仓库库存编号:
IXTU1R4N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N25
仓库库存编号:
FQP3N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),45W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N25TU
仓库库存编号:
FQI3N25TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),45W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N25TM
仓库库存编号:
FQB3N25TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M70TB1
仓库库存编号:
SH8M70TB1CT-ND
别名:SH8M70TB1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.1A(Tc) 32.6W(Tc) DPAK
型号:
PHD16N03T,118
仓库库存编号:
PHD16N03T,118-ND
别名:934057666118
PHD16N03T /T3
PHD16N03T /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 10V,
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