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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),48.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
仓库库存编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND
别名:SUD50N04-8M8P-4GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4116DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4116DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4116DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA26P20P
仓库库存编号:
IXTA26P20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP45N40DM2AG
仓库库存编号:
497-16136-5-ND
别名:497-16136-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP26P20P
仓库库存编号:
IXTP26P20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7423DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7423DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7423DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-60YS,115
仓库库存编号:
1727-2470-1-ND
别名:1727-2470-1
568-12855-1
568-12855-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3 GCT-ND
BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50CF
仓库库存编号:
FQPF13N50CF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26P20P
仓库库存编号:
IXTH26P20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 610mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN2011UFDE-7
仓库库存编号:
DMN2011UFDE-7DICT-ND
别名:DMN2011UFDE-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58.8A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ470DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
型号:
DMN2011UFX-7
仓库库存编号:
DMN2011UFX-7DICT-ND
别名:DMN2011UFX-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB067N08N3 G
仓库库存编号:
IPB067N08N3 GCT-ND
别名:IPB067N08N3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410PBF
仓库库存编号:
IRFU3410PBF-ND
别名:*IRFU3410PBF
SP001578398
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114648
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF43N60DM2
仓库库存编号:
497-16344-5-ND
别名:497-16344-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP45N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16128-5-ND
别名:497-16128-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW45N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16132-5-ND
别名:497-16132-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW43N60DM2
仓库库存编号:
497-16343-5-ND
别名:497-16343-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP34N65X2
仓库库存编号:
IXFP34N65X2-ND
别名:IXFP34N65X2X
IXFP34N65X2X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXFH34N65X2
仓库库存编号:
IXFH34N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA36DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA36DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA36DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),62W(Tc) Power56
型号:
FDMS7670
仓库库存编号:
FDMS7670CT-ND
别名:FDMS7670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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