品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3 GCT-ND
BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB067N08N3 G
仓库库存编号:
IPB067N08N3 GCT-ND
别名:IPB067N08N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410PBF
仓库库存编号:
IRFU3410PBF-ND
别名:*IRFU3410PBF
SP001578398
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114648
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名:IRFR3410TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7490TRPBF
仓库库存编号:
IRF7490TRPBFCT-ND
别名:IRF7490TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB026N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB026N06NATMA1CT-ND
别名:IPB026N06N-ND
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT
IPB026N06NCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA041N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPA041N04NGXKSA1-ND
别名:SP001191328
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N15DPBF-ND
别名:*IRFB23N15DPBF
SP001566508
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114656
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI029N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPI029N06NAKSA1-ND
别名:IPI029N06N
IPI029N06N-ND
SP000962134
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP041N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP041N04NGXKSA1-ND
别名:IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N15DTRLPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP029N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP029N06NAKSA1-ND
别名:IPP029N06N
IPP029N06N-ND
SP000917404
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114652
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028680
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028666
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028672
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028676
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15D
仓库库存编号:
IRFS23N15D-ND
别名:*IRFS23N15D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15D
仓库库存编号:
IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410
仓库库存编号:
IRFU3410-ND
别名:*IRFU3410
Q1434118
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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