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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB9409_F085
仓库库存编号:
FDB9409_F085CT-ND
别名:FDB9409_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.5A
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A(Tc) 218W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N50C_F109
仓库库存编号:
FQA13N50C_F109-ND
别名:FQA13N50CF109
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 218W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N50CF
仓库库存编号:
FQA13N50CF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB45N40DM2AG
仓库库存编号:
497-16133-1-ND
别名:497-16133-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ30N60X
仓库库存编号:
IXFQ30N60X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N15DTRLPCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R5-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4284-1-ND
别名:1727-4284-1
568-4973-1
568-4973-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP029N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP029N06NAKSA1-ND
别名:IPP029N06N
IPP029N06N-ND
SP000917404
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114652
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 34A(Tc) 14W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM085P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM085P03CS RLGTR-ND
别名:TSM085P03CS RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 34A(Tc) 14W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM085P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM085P03CS RLGCT-ND
别名:TSM085P03CS RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 34A(Tc) 14W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM085P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM085P03CS RLGDKR-ND
别名:TSM085P03CS RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM018NA03CR RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM018NA03CR RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM018NA03CR RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STB7NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12539-5-ND
别名:497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NM50
仓库库存编号:
497-2663-5-ND
别名:497-2663-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 160W(Tc) TO-247
型号:
STW9NK95Z
仓库库存编号:
STW9NK95Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NM50T4
仓库库存编号:
497-5312-2-ND
别名:497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB43N60DM2
仓库库存编号:
STB43N60DM2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) I2PAK
型号:
STB20NM50-1
仓库库存编号:
497-5382-5-ND
别名:497-5382-5
STB20NM50-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA34N65X2
仓库库存编号:
IXFA34N65X2-ND
别名:IXFA34N65X2X
IXFA34N65X2X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.2A(Ta) 2.1W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMN2011UFDF-13
仓库库存编号:
DMN2011UFDF-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.2A(Ta) 2.1W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMN2011UFDF-7
仓库库存编号:
DMN2011UFDF-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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