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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N08N3 G
仓库库存编号:
IPP070N08N3 G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
SP000415586
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S407AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S407AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-07
IPI80N06S4-07-ND
SP000415690
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S407AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S407AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-07
IPP80N06S4-07-ND
SP000415706
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.8A(Ta) 3.6W(Ta),8.3W(Tc) 8-QFN
型号:
IRFH5025TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5025TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5025TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
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规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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