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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7418
  仓库库存编号：785-1308-1-ND
  别名：785-1308-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60X,LQ
  仓库库存编号：TK31V60XLQCT-ND
  别名：TK31V60XLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 2.5W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4835DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4835DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4835DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1205TRPBF
  仓库库存编号：IRFR1205PBFCT-ND
  别名：*IRFR1205TRPBF
  IRFR1205PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF65N06
  仓库库存编号：FQPF65N06FS-ND
  别名：FQPF65N06-ND
  FQPF65N06FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312.5W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP22N50N
  仓库库存编号：FDP22N50N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF20N50FT
  仓库库存编号：FDPF20N50FT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8483DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8483DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8483DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD5353
  仓库库存编号：FDD5353CT-ND
  别名：FDD5353CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 31A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ44NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ44NPBF-ND
  别名：*IRFIZ44NPBF
  64-7000PBF
  64-7000PBF-ND
  SP001572634
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VZSPBF
  仓库库存编号：IRFZ44VZSPBF-ND
  别名：*IRFZ44VZSPBF
  SP001557886
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60X,S1X
  仓库库存编号：TK31E60XS1X-ND
  别名：TK31E60X,S1X(S
  TK31E60XS1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60X,S1F
  仓库库存编号：TK31N60XS1F-ND
  别名：TK31N60X,S1F(S
  TK31N60XS1F
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N30Q3
  仓库库存编号：IXFH50N30Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020ANX
  仓库库存编号：R6020ANX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020FNX
  仓库库存编号：R6020FNX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 44A（Tc） 56W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6268
  仓库库存编号：800-3748-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V TO252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V TO-252AA
  
  型号：SQD40030E_GE3
  仓库库存编号：SQD40030E_GE3CT-ND
  别名：SQD40030E_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU1205PBF
  仓库库存编号：IRFU1205PBF-ND
  别名：*IRFU1205PBF
  SP001578428
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP20NQ20T,127
  仓库库存编号：1727-4641-ND
  别名：1727-4641
  568-5758
  568-5758-5
  568-5758-5-ND
  568-5758-ND
  934055762127
  PHP20NQ20T
  PHP20NQ20T,127-ND
  PHP20NQ20T-ND
  PHP20NQ20T127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
  
  型号：SQR70090ELR_GE3
  仓库库存编号：SQR70090ELR_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP17NK40ZFP
  仓库库存编号：497-12611-5-ND
  别名：497-12611-5
  STP17NK40ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 2.5W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4835DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4835DDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4835DDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC6675BZ
  仓库库存编号：FDMC6675BZCT-ND
  别名：FDMC6675BZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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