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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7121DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7121DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7121DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.5A（Tc） 3W（Ta），6.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4166DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4166DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4166DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4917EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4917EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4917EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI27N25TU
  仓库库存编号：FQI27N25TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP20N50F
  仓库库存编号：FDP20N50F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF20L
  仓库库存编号：497-13392-1-ND
  别名：497-13392-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB20N50F
  仓库库存编号：FDB20N50FCT-ND
  别名：FDB20N50FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），417W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI27N25TU_F085
  仓库库存编号：FQI27N25TU_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF17N60NT
  仓库库存编号：FDPF17N60NTFS-ND
  别名：FDPF17N60NT-ND
  FDPF17N60NTFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 179W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5297-1-ND
  别名：1727-5297-1
  568-6727-1
  568-6727-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S51R9ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R9ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN130-200D,118
  仓库库存编号：1727-6296-1-ND
  别名：1727-6296-1
  568-8114-1
  568-8114-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGATMA1CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44VZPBF
  仓库库存编号：IRFZ44VZPBF-ND
  别名：*IRFZ44VZPBF
  SP001565374
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF27N25
  仓库库存编号：FQPF27N25FS-ND
  别名：FQPF27N25-ND
  FQPF27N25FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP65N06
  仓库库存编号：FQP65N06FS-ND
  别名：FQP65N06-ND
  FQP65N06FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 210W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA27N25
  仓库库存编号：FQA27N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N50P
  仓库库存编号：IXTQ26N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020ANZC8
  仓库库存编号：R6020ANZC8-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP120N4F6
  仓库库存编号：497-10962-5-ND
  别名：497-10962-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB21NM50N-1
  仓库库存编号：497-5727-ND
  别名：497-5727
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR466DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR466DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR466DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP27N25
  仓库库存编号：FQP27N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP114N12N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP114N12N3GXKSA1-ND
  别名：IPP114N12N3 G
  IPP114N12N3 G-ND
  IPP114N12N3G
  SP000652740
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD120N4F6
  仓库库存编号：497-10781-1-ND
  别名：497-10781-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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