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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8.2A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），45.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-23-GE3
仓库库存编号：
SUD50P04-23-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 290W（Tc） TO-220
型号：
GP1M009A090H
仓库库存编号：
GP1M009A090H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M009A090FH
仓库库存编号：
1560-1173-5-ND
别名：1560-1173-1
1560-1173-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9.5A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M009A090N
仓库库存编号：
1560-1174-5-ND
别名：1560-1174-1
1560-1174-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205
仓库库存编号：
IRFR1205-ND
别名：*IRFR1205
SP001578028
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU1205
仓库库存编号：
IRFU1205-ND
别名：*IRFU1205
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205TRL
仓库库存编号：
IRFR1205TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205TRR
仓库库存编号：
IRFR1205TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP35N10
仓库库存编号：
SPP35N10IN-ND
别名：SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10
仓库库存编号：
SPB35N10INTR-ND
别名：SPB35N10INTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD35N10
仓库库存编号：
SPD35N10INCT-ND
别名：SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44VZ
仓库库存编号：
IRFZ44VZ-ND
别名：*IRFZ44VZ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VZS
仓库库存编号：
IRFZ44VZS-ND
别名：*IRFZ44VZS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44VZL
仓库库存编号：
IRFZ44VZL-ND
别名：*IRFZ44VZL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540,127
仓库库存编号：
568-1160-5-ND
别名：568-1160-5
934055542127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10T
仓库库存编号：
SPB35N10T-ND
别名：SP000013627
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10N G
仓库库存编号：
IPP12CN10N G-ND
别名：IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10 G
仓库库存编号：
SPB35N10 G-ND
别名：SP000102172
SPB35N10GXT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI35N10
仓库库存编号：
SPI35N10-ND
别名：SP000013852
SPI35N10X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ44VZSTRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB12CN10N G
仓库库存编号：
IPB12CN10N G-ND
别名：SP000096450
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI12CN10N G
仓库库存编号：
IPI12CN10N G-ND
别名：SP000208928
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号：
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名：IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS118N10N G
仓库库存编号：
IPS118N10N G-ND
别名：SP000475890
SP000680974
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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