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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7421
仓库库存编号：
785-1309-1-ND
别名：785-1309-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60C3
仓库库存编号：
SPW20N60C3IN-ND
别名：SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号：
IRFB59N10DPBF-ND
别名：*IRFB59N10DPBF
SP001560232
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS59N10DPBF
仓库库存编号：
IRFS59N10DPBF-ND
别名：*IRFS59N10DPBF
SP001571716
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681058
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000216354
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
详细描述：N 沟道 9A（Ta） 3W（Ta），78W（Tc） TO-3PF-3
型号：
NDUL09N150CG
仓库库存编号：
NDUL09N150CGOS-ND
别名：NDUL09N150CGOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681064
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E3R5-60E,127
仓库库存编号：
1727-7245-ND
别名：1727-7245
568-9853-5
568-9853-5-ND
934066632127
BUK7E3R560E127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
FCP099N60E
仓库库存编号：
FCP099N60E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 268W（Tc） TO-220
型号：
AOT430
仓库库存编号：
785-1145-5-ND
别名：785-1145-1
785-1145-1-ND
785-1145-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
型号：
BUK662R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-5520-1-ND
别名：1727-5520-1
568-6999-1
568-6999-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
型号：
BUK763R1-60E,118
仓库库存编号：
1727-7252-1-ND
别名：1727-7252-1
568-9881-1
568-9881-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60C3
仓库库存编号：
SPB20N60C3INCT-ND
别名：SPB20N60C3INCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 57.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 57.5A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6230
仓库库存编号：
AON6230-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CH MOSFET SO-8 30V
详细描述：表面贴装 P 沟道 8-SOIC
型号：
SI4413DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4413DDY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH10H005LCT
仓库库存编号：
DMTH10H005LCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N25T
仓库库存编号：
IXTQ96N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N25T
仓库库存编号：
IXTH96N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ102N20T
仓库库存编号：
IXTQ102N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH102N20T
仓库库存编号：
IXTH102N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV96N25T
仓库库存编号：
IXTV96N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC20N60C
仓库库存编号：
IXKC20N60C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
FCH099N60E
仓库库存编号：
FCH099N60E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号：
GWM100-0085X1-SMD
仓库库存编号：
GWM100-0085X1-SMD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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