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IXYS
MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号：
GWM100-0085X1-SMD SAM
仓库库存编号：
GWM100-0085X1-SMD SAM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号：
IRFS59N10DTRLP-ND
别名：SP001557452
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA20N65C3
仓库库存编号：
SPA20N65C3IN-ND
别名：SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
SPA20N65C3XKSA1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK652R7-30C,127
仓库库存编号：
568-7494-5-ND
别名：568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
型号：
APT20N60BC3G
仓库库存编号：
APT20N60BC3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
型号：
APT20N60SC3G
仓库库存编号：
APT20N60SC3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA152N085T
仓库库存编号：
IXTA152N085T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA152N085T7
仓库库存编号：
IXTA152N085T7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA182N055T
仓库库存编号：
IXTA182N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA182N055T7
仓库库存编号：
IXTA182N055T7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH152N085T
仓库库存编号：
IXTH152N085T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH182N055T
仓库库存编号：
IXTH182N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP152N085T
仓库库存编号：
IXTP152N085T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP182N055T
仓库库存编号：
IXTP182N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ152N085T
仓库库存编号：
IXTQ152N085T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ182N055T
仓库库存编号：
IXTQ182N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 268W（Tc） TO-220
型号：
AOT430
仓库库存编号：
785-1145-2-ND
别名：785-1145-2
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 102A（Tc） 750W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV102N20T
仓库库存编号：
IXTV102N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R3-30C,127
仓库库存编号：
BUK653R3-30C,127-ND
别名：934065858127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL59N10D
仓库库存编号：
IRFSL59N10D-ND
别名：*IRFSL59N10D
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3IN-ND
别名：SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3IN-ND
别名：SP000013659
SPA20N60C3
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000014525
SP000681010
SPI20N65C3
SPI20N65C3-ND
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3IN-ND
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
无铅
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