以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA456DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA456DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 38W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K18-40E,115
  仓库库存编号：1727-7269-1-ND
  别名：1727-7269-1
  568-9899-1
  568-9899-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD18543Q3AT
  仓库库存编号：296-45302-1-ND
  别名：296-45302-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD120AN15A0
  仓库库存编号：FDD120AN15A0CT-ND
  别名：FDD120AN15A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU4N60
  仓库库存编号：785-1522-5-ND
  别名：AOU4N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P60YRQCT-ND
  别名：TK560P60YRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P65YRQCT-ND
  别名：TK560P65YRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SIS888DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS888DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS888DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4NB60CH X0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CH X0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E080BNTB
  仓库库存编号：RQ3E080BNTBCT-ND
  别名：RQ3E080BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） TO-236
  
  型号：SQ2348ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2348ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2348ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2409
  仓库库存编号：785-1395-1-ND
  别名：785-1395-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7224DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7224DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7224DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：CDM7-600LR TR13
  仓库库存编号：CDM7-600LR TR13CT-ND
  别名：CDM7-600LR TR13CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-263
  
  型号：R6007KNJTL
  仓库库存编号：R6007KNJTLCT-ND
  别名：R6007KNJTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CI C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W TO-220SIS
  
  型号：TK560A60Y,S4X
  仓库库存编号：TK560A60YS4X-ND
  别名：TK560A60Y,S4X(S
  TK560A60YS4X
  TK560A60YS4X(S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W TO-220SIS
  
  型号：TK560A65Y,S4X
  仓库库存编号：TK560A65YS4X-ND
  别名：TK560A65Y,S4X(S
  TK560A65YS4X
  TK560A65YS4X(S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 46W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6007KNX
  仓库库存编号：R6007KNX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5997DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5997DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5997DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N100
  仓库库存编号：IXTP1N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E080BNTR
  仓库库存编号：RF4E080BNTRCT-ND
  别名：RF4E080BNTRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NB60CP ROGTR-ND
  别名：TSM4NB60CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NB60CP ROGCT-ND
  别名：TSM4NB60CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NB60CP ROGDKR-ND
  别名：TSM4NB60CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索