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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 29A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 32W（Tc） TO-252
  
  型号：DKI04103
  仓库库存编号：DKI04103CT-ND
  别名：DKI04103CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI04101
  仓库库存编号：GKI04101CT-ND
  别名：GKI04101CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4N60
  仓库库存编号：AOI4N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4N60
  仓库库存编号：785-1183-1-ND
  别名：785-1183-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF4N60
  仓库库存编号：AOWF4N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7224DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7224DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N100
  仓库库存编号：IXTA1N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SMM2348ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SMM2348ES-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP120AN15A0
  仓库库存编号：FDP120AN15A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3879DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3879DV-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3879DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3879DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4N60_001
  仓库库存编号：AOD4N60_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM4NB60CZ C0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5255TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5255TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5255TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V,
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