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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.9A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7115DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7115DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7115DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.9A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7115DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7115DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7115DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR402DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc)
型号:
SI4455DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4455DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4455DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 4.8W(Ta), 125W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL130N6F7
仓库库存编号:
497-15910-1-ND
别名:497-15910-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 28A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),60A(Tc) 3.3W(Ta),59W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS8570SDC
仓库库存编号:
FDMS8570SDCCT-ND
别名:FDMS8570SDCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta),28A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86200DC
仓库库存编号:
FDMS86200DCCT-ND
别名:FDMS86200DCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N120HV
仓库库存编号:
IXTA3N120HV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP130N6F7
仓库库存编号:
497-15889-5-ND
别名:497-15889-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40APBF
仓库库存编号:
IRFBC40APBF-ND
别名:*IRFBC40APBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50P3
仓库库存编号:
IXFH26N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R800C3
仓库库存编号:
IPW90R800C3-ND
别名:IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 8.4A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STI10N62K3
仓库库存编号:
497-12256-ND
别名:497-12256
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10N62K3
仓库库存编号:
497-9099-5-ND
别名:497-9099-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),32A(Tc) 5W(Ta),46W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6510
仓库库存编号:
785-1691-1-ND
别名:785-1691-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB16AN08A0
仓库库存编号:
FDB16AN08A0CT-ND
别名:FDB16AN08A0CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP16AN08A0
仓库库存编号:
FDP16AN08A0FS-ND
别名:FDP16AN08A0-ND
FDP16AN08A0FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB10N65K3
仓库库存编号:
497-14032-1-ND
别名:497-14032-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6015FNJTL
仓库库存编号:
R6015FNJTLCT-ND
别名:R6015FNJTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB130N6F7
仓库库存编号:
497-15895-1-ND
别名:497-15895-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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