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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
IXFJ26N50P3
仓库库存编号:
IXFJ26N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名:IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 122W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R104C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R104C7AUMA1-ND
别名:SP001298008
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R099C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099C7ATMA1-ND
别名:SP001297998
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001297996
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 29A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名:SP001615904
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N65K3
仓库库存编号:
497-12565-5-ND
别名:497-12565-5
STF11N65K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP10N65K3
仓库库存编号:
STP10N65K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 8.4A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI10N62K3
仓库库存编号:
497-13389-5-ND
别名:497-13389-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40A
仓库库存编号:
IRFBC40A-ND
别名:*IRFBC40A
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40AS
仓库库存编号:
IRFBC40AS-ND
别名:*IRFBC40AS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR496DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR496DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR496DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS426DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS426DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS426DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8033-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8033-H(TE12LQM)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8012-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8012-H(TE12LQM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8026(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 13.5A(Ta) 2.19W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4015LK3-13
仓库库存编号:
DMN4015LK3-13DICT-ND
别名:DMN4015LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),46.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-12P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-12P-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 26A(Ta) 1.75W(Ta),45W(Tc) TO-220
型号:
2SK3826
仓库库存编号:
2SK3826-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),55A(Tc) 2.5W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4146
仓库库存编号:
AOD4146-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 15A(Ta),55A(Tc) 2.5W(Ta),62W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4146
仓库库存编号:
AOI4146-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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