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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),46A(Tc) 2W(Ta),43W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1458
仓库库存编号:
AOL1458-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD17N25-165-E3
仓库库存编号:
SUD17N25-165-E3CT-ND
别名:SUD17N25-165-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF11C60
仓库库存编号:
785-1656-5-ND
别名:785-1656-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16.8A(Ta) 39W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N03-12P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-12P-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11C60
仓库库存编号:
AOB11C60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60
仓库库存编号:
AOT11C60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF11C60_001
仓库库存编号:
AOTF11C60_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343
仓库库存编号:
IRLU4343-ND
别名:*IRLU4343
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRL
仓库库存编号:
IRLR4343CTL-ND
别名:*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 39W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB4343
仓库库存编号:
IRLIB4343-ND
别名:*IRLIB4343
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343PBF
仓库库存编号:
IRLR4343PBF-ND
别名:*IRLR4343PBF
SP001558486
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343PBF
仓库库存编号:
IRLU4343PBF-ND
别名:*IRLU4343PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号:
BSP603S2LHUMA1-ND
别名:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 45W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S3L-23
仓库库存编号:
IPG20N06S3L-23-ND
别名:SP000396304
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF050N03LQ3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
别名:BSF050N03LQ3 GCT
BSF050N03LQ3 GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L23ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
别名:IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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