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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4685
仓库库存编号:
FDS4685CT-ND
别名:FDS4685CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Ta),32A(Tc) 69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4685
仓库库存编号:
FDD4685CT-ND
别名:FDD4685CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD100N3LF3
仓库库存编号:
497-16197-1-ND
别名:497-16197-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N100D2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N100D2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N100D2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBFTR-ND
别名:IRLR8103VPBFTR
SP001558514
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBF-ND
别名:SP001567340
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD100N03LT4
仓库库存编号:
497-4749-1-ND
别名:497-4749-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6680
仓库库存编号:
FDS6680CT-ND
别名:FDS6680CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR230ATF
仓库库存编号:
IRLR230ATF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 69W(Tc) TO-220-3
型号:
IRL630A
仓库库存编号:
IRL630A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.5A(Tc) 36W(Tc) TO-220
型号:
IRLS630A
仓库库存编号:
IRLS630A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR230ATM
仓库库存编号:
IRLR230ATM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),69W(Tc) I2PAK
型号:
IRLW630ATM
仓库库存编号:
IRLW630ATM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7601DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7601DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7601DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.4A(Ta),32A(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4685TF_SB82135
仓库库存编号:
FDD4685TF_SB82135-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.8A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6466ADQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6466ADQ-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.8A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6466ADQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6466ADQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7601DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7601DN-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.4A(Ta),32A(Tc) 83W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4685_F085
仓库库存编号:
FDD4685_F085-5-ND
别名:FDD4685_F085-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
仓库库存编号:
IRLR8103VTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
仓库库存编号:
IRLR8103VTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VTRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRLPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VTRLPBF-ND
别名:SP001558542
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 5V,
无铅
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