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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 28A(Ta) 37W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB6021P
仓库库存编号:
FDB6021P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
FDW2507NZ
仓库库存编号:
FDW2507NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
FDW2507N
仓库库存编号:
FDW2507N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 95A(Ta),120.5A(Tc) 1.98W(Ta),113.6W(Tc) D2PAK
型号:
NTB125N02RG
仓库库存编号:
NTB125N02RG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 74A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
NTB4302
仓库库存编号:
NTB4302-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 74A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
NTB4302G
仓库库存编号:
NTB4302G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 12.5A(Ta),110A(Tc) 1.5W(Ta),110W(Tc) I-Pak
型号:
NTD110N02R-001G
仓库库存编号:
NTD110N02R-001G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8926A
仓库库存编号:
FDS8926ACT-ND
别名:FDS8926ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta),85A(Tc) 880mW(Ta),48.4W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4847NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4847NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta),85A(Tc) 880mW(Ta),48.4W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4847NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4847NT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta),85A(Tc) 880mW(Ta),48.4W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4847NAT1G
仓库库存编号:
NTMFS4847NAT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),90A(Tc) 890mW(Ta),55.6W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4836NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4836NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4836NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0852DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0852DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0852DPB-00#J5CT
RJK0852DPB00J5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
型号:
AOC2415
仓库库存编号:
AOC2415-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3A18PZTWG
仓库库存编号:
NTLJS3A18PZTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3A18PZTXG
仓库库存编号:
NTLJS3A18PZTXG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.1A(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS3A18PZCTAG
仓库库存编号:
NTLUS3A18PZCTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.1A(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS3A18PZCTBG
仓库库存编号:
NTLUS3A18PZCTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V,
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