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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPD050N10N5ATMA1-ND
别名:SP001602184
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 91W(Tc) TO-220
型号:
AUIRFZ48Z
仓库库存编号:
AUIRFZ48Z-ND
别名:SP001516066
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB065N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB065N10N3GATMA1-ND
别名:SP001232588
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 10.8A(Ta) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA2-ND
别名:SP001313396
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名:IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080114
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080100
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080116
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080120
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 60A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NH02LT4
仓库库存编号:
STB100NH02LT4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 60A(Tc) 95W(Tc) D-Pak
型号:
STD90NH02LT4
仓库库存编号:
STD90NH02LT4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF30N65M5
仓库库存编号:
497-11395-5-ND
别名:497-11395-5
STF30N65M5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 254W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7506-55B,127
仓库库存编号:
568-6618-5-ND
别名:568-6618
568-6618-5
568-6618-ND
934057687127
BUK7506-55B
BUK7506-55B,127-ND
BUK7506-55B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450A
仓库库存编号:
IRFP450A-ND
别名:*IRFP450A
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Ta) 70W(Ta) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6676AS
仓库库存编号:
FDD6676AS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Ta) 70W(Ta) IPAK(TO-251)
型号:
FDU6676AS
仓库库存编号:
FDU6676AS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1930AL,115
仓库库存编号:
PH1930AL,115-ND
别名:934063083115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8125,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8125LQ(S-ND
别名:TPC8125LQ(S
TPC8125LQS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 15A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6244
仓库库存编号:
785-1336-1-ND
别名:785-1336-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 52A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Ta),85A(Tc) 7.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6754
仓库库存编号:
785-1369-1-ND
别名:785-1369-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 118W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号:
FDD8453LZ_F085-5-ND
别名:FDD8453LZ_F085-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M023A050N
仓库库存编号:
GP2M023A050N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 91W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48Z
仓库库存编号:
IRFZ48Z-ND
别名:*IRFZ48Z
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
含铅
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