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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3499DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3499DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3499DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：STP105N3LL
  仓库库存编号：497-13587-5-ND
  别名：497-13587-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：STP160N3LL
  仓库库存编号：497-16021-5-ND
  别名：497-16021-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0328DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0328DPB-01#J0TR-ND
  别名：RJK0328DPB-01#J0TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Ta），123A（Tc） 4W（Ta），107W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5890NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5890NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD5890NLT4G
  NVD5890NLT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0653DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0653DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0653DPB-00#J5CT
  RJK0653DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7457TRPBF
  仓库库存编号：IRF7457PBFCT-ND
  别名：*IRF7457TRPBF
  IRF7457PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD80N02-001
  仓库库存编号：NTD80N02-001OS-ND
  别名：NTD80N02-001OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD80N02T4
  仓库库存编号：NTD80N02T4OSCT-ND
  别名：NTD80N02T4OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD80N02-1G
  仓库库存编号：NTD80N02-1GOS-ND
  别名：NTD80N02-1GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3499DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3499DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3499DV-T1-E3CT
  SI3499DVT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD80N02T4G
  仓库库存编号：NTD80N02T4GOSCT-ND
  别名：NTD80N02T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK03C1DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK03C1DPB-00#J5CT
  RJK03C1DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7457
  仓库库存编号：IRF7457-ND
  别名：*IRF7457
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7457TR
  仓库库存编号：IRF7457TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：64-9145
  仓库库存编号：64-9145CT-ND
  别名：*IRF6620
  IRF6620CT
  IRF6620CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6620TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6620TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6620TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6728MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6728MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6728MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 28A MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF8304MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF8304MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF8304MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF8308MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF8308MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF8308MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 4.5V,
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