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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4425
  仓库库存编号：785-1026-1-ND
  别名：785-1026-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta），55A（Tc） 3.1W（Ta），57W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6637
  仓库库存编号：FDD6637CT-ND
  别名：FDD6637CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 131W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R6-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4274-1-ND
  别名：1727-4274-1
  568-4906-1
  568-4906-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB52N20TM
  仓库库存编号：FDB52N20TMCT-ND
  别名：FDB52N20TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840PBF
  仓库库存编号：IRF840PBF-ND
  别名：*IRF840PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740PBF
  仓库库存编号：IRF740PBF-ND
  别名：*IRF740PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86255
  仓库库存编号：FDMS86255CT-ND
  别名：FDMS86255CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305TRPBF
  仓库库存编号：IRFR5305PBFCT-ND
  别名：*IRFR5305TRPBF
  IRFR5305PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5305STRLPBF
  仓库库存编号：IRF5305STRLPBFCT-ND
  别名：IRF5305STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44NPBF
  仓库库存编号：IRFZ44NPBF-ND
  别名：*IRFZ44NPBF
  94-4305PBF
  94-4305PBF-ND
  SP001565354
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5305PBF
  仓库库存编号：IRF5305PBF-ND
  别名：*IRF5305PBF
  94-4306PBF
  94-4306PBF-ND
  SP001564354
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP52N20
  仓库库存编号：FDP52N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190C6
  仓库库存编号：IPA60R190C6-ND
  别名：IPA60R190C6XKSA1
  SP000621152
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540ZSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR5305TRL
  仓库库存编号：AUIRFR5305TRLCT-ND
  别名：AUIRFR5305TRLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ44NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4470
  仓库库存编号：FDS4470FSCT-ND
  别名：FDS4470FSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5305PBF
  仓库库存编号：IRFU5305PBF-ND
  别名：*IRFU5305PBF
  SP001550274
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44NLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44NLPBF-ND
  别名：*IRFZ44NLPBF
  SP001557836
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190C6
  仓库库存编号：IPW60R190C6-ND
  别名：IPW60R190C6FKSA1
  SP000621160
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 96W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL120N4F6AG
  仓库库存编号：497-15475-1-ND
  别名：497-15475-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZLPBF-ND
  别名：*IRF540ZLPBF
  SP001559652
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP15N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP15N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681050
  SPP15N60C3
  SPP15N60C3-ND
  SPP15N60C3IN
  SPP15N60C3IN-ND
  SPP15N60C3X
  SPP15N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190E6
  仓库库存编号：IPW60R190E6-ND
  别名：IPW60R190E6FKSA1
  SP000797384
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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