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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7242
  仓库库存编号：785-1378-1-ND
  别名：785-1378-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18503Q5A
  仓库库存编号：296-30571-1-ND
  别名：296-30571-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5476DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.6W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR802DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR802DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR802DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.2W（Ta），50W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5690
  仓库库存编号：FDD5690CT-ND
  别名：FDD5690CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRPBF
  仓库库存编号：IRFR5505PBFCT-ND
  别名：*IRFR5505TRPBF
  IRFR5505PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0902NSI
  仓库库存编号：BSC0902NSICT-ND
  别名：BSC0902NSICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NK40ZT4
  仓库库存编号：497-7930-1-ND
  别名：497-7930-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF40NF06
  仓库库存编号：497-4343-5-ND
  别名：497-4343-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5505PBF
  仓库库存编号：IRFU5505PBF-ND
  别名：*IRFU5505PBF
  SP001557786
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA10N60P
  仓库库存编号：IXFA10N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW15N80K5
  仓库库存编号：497-13447-ND
  别名：497-13447
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU15N80K5
  仓库库存编号：497-16108-5-ND
  别名：497-16108-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.6A（Tc） 74W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ6N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ6N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ6N65E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK17A80W,S4X
  仓库库存编号：TK17A80WS4X-ND
  别名：TK17A80W,S4X(S
  TK17A80WS4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E80W,S1X
  仓库库存编号：TK17E80WS1X-ND
  别名：TK17E80W,S1X(S
  TK17E80WS1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7416
  仓库库存编号：785-1583-1-ND
  别名：785-1583-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4419
  仓库库存编号：785-1024-1-ND
  别名：785-1024-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.25W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5424DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5424DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5424DC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA86EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA86EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS488DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS488DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS488DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5690
  仓库库存编号：FDS5690CT-ND
  别名：FDS5690CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5410DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5410DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5410DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V,
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