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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 13A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta),13A(Tc) 2.3W(Ta),62W(Tc) Power33
型号:
FDMC86259P
仓库库存编号:
FDMC86259PCT-ND
别名:FDMC86259PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
NTMFD4C85NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
别名:NTMFD4C85NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB15N80K5
仓库库存编号:
497-13423-1-ND
别名:497-13423-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPD75N04S406ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC026N04LSATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP9NK50ZFP
仓库库存编号:
497-12057-5-ND
别名:497-12057-5
STP9NK50ZFP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK50Z
仓库库存编号:
497-3203-5-ND
别名:497-3203-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.3A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R400CEXKSA1-ND
别名:SP001276040
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A90E,S4X
仓库库存编号:
TK7A90ES4X-ND
别名:TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A80E,S4X
仓库库存编号:
TK6A80ES4X-ND
别名:TK6A80E,S4X(S
TK6A80ES4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK7J90E,S1E
仓库库存编号:
TK7J90ES1E-ND
别名:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-220
型号:
AOT8N80L
仓库库存编号:
785-1434-5-ND
别名:785-1434-5
AOT8N80
AOT8N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380C6
仓库库存编号:
IPA60R380C6-ND
别名:IPA60R380C6XKSA1
SP000660632
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6011ENX
仓库库存编号:
R6011ENX-ND
别名:R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NK40Z
仓库库存编号:
497-7500-5-ND
别名:497-7500-5
STP11NK40Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681038
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN
SPP08N50C3IN-ND
SPP08N50C3X
SPP08N50C3X-ND
SPP08N50C3XK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380E6XKSA1-ND
别名:IPP60R380E6
IPP60R380E6-ND
SP000795310
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380C6
仓库库存编号:
IPP60R380C6-ND
别名:IPP60R380C6XKSA1
SP000645062
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP11NK40ZFP
仓库库存编号:
497-12603-5-ND
别名:497-12603-5
STP11NK40ZFP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4111PT1G
仓库库存编号:
NTGS4111PT1GOSCT-ND
别名:NTGS4111PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPB70N04S406ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 58W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N04S406AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N04S406AKSA1-ND
别名:IPI70N04S4-06
IPI70N04S4-06-ND
SP000711484
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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