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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8447
  仓库库存编号：FDS8447CT-ND
  别名：FDS8447CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta） 5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4141
  仓库库存编号：FDS4141CT-ND
  别名：FDS4141CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR876ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 157W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK55S10N1,LQ
  仓库库存编号：TK55S10N1LQCT-ND
  别名：TK55S10N1LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6216TRPBF
  仓库库存编号：IRF6216TRPBFCT-ND
  别名：IRF6216TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF39N20
  仓库库存编号：FDPF39N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB144N12N3 G
  仓库库存编号：IPB144N12N3 GCT-ND
  别名：IPB144N12N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60APBF
  仓库库存编号：IRFSL9N60APBF-ND
  别名：*IRFSL9N60APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB6N60APBF
  仓库库存编号：IRFIB6N60APBF-ND
  别名：*IRFIB6N60APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH4R606NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH4R606NHL1QCT-ND
  别名：TPH4R606NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP147N12N3 G
  仓库库存编号：IPP147N12N3 G-ND
  别名：IPP147N12N3G
  IPP147N12N3GXKSA1
  SP000652742
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tj） 148W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN016-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7208-1-ND
  别名：1727-7208-1
  568-9699-1
  568-9699-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 57A（Tj） 148W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN016-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4657-ND
  别名：1727-4657
  568-5774
  568-5774-5
  568-5774-5-ND
  568-5774-ND
  934064505127
  PSMN016-100PS,127-ND
  PSMN016100PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-microfoot
  
  型号：SI8497DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8497DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8497DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4354
  仓库库存编号：785-1464-1-ND
  别名：785-1464-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86340ET80
  仓库库存编号：FDMC86340ET80CT-ND
  别名：FDMC86340ET80CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25.5A（Tc） 417W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB27N25TM_F085
  仓库库存编号：FQB27N25TM_F085CT-ND
  别名：FQB27N25TM_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1W Surface Mount Powerclip-33
  
  型号：FDPC4044
  仓库库存编号：FDPC4044CT-ND
  别名：FDPC4044CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO303P H
  仓库库存编号：BSO303P HCT-ND
  别名：BSO303P HCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC009NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
  别名：BSC009NE2LS5IATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2W（Ta），60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8447L
  仓库库存编号：FDP8447L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP60N10T
  仓库库存编号：IXTP60N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA60N10T
  仓库库存编号：IXTA60N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N60APBF
  仓库库存编号：IRFB9N60APBF-ND
  别名：*IRFB9N60APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 90A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 126W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E10N1S1X-ND
  别名：TK40E10N1,S1X(S
  TK40E10N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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