品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR876ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60APBF
仓库库存编号:
IRFSL9N60APBF-ND
别名:*IRFSL9N60APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB6N60APBF
仓库库存编号:
IRFIB6N60APBF-ND
别名:*IRFIB6N60APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-microfoot
型号:
SI8497DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8497DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8497DB-T2-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60APBF
仓库库存编号:
IRFB9N60APBF-ND
别名:*IRFB9N60APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRLPBF
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
别名:IRFS9N60ATRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS9N60A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS9N60A-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60A
仓库库存编号:
IRFB9N60A-ND
别名:*IRFB9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB6N60A
仓库库存编号:
IRFIB6N60A-ND
别名:*IRFIB6N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL9N60A
仓库库存编号:
IRFSL9N60A-ND
别名:*IRFSL9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60A
仓库库存编号:
IRFS9N60A-ND
别名:*IRFS9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRL
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRR
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60ATRL
仓库库存编号:
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