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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A10N1S4X-ND
  别名：TK40A10N1,S4X(S
  TK40A10N1,S4X-ND
  TK40A10N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 251W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP39N20
  仓库库存编号：FDP39N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R3-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4633-1-ND
  别名：1727-4633-1
  568-5590-1
  568-5590-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 22A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD508
  仓库库存编号：785-1355-1-ND
  别名：785-1355-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
  别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 44A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6792
  仓库库存编号：785-1744-1-ND
  别名：785-1744-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM7N90CZ C0G
  仓库库存编号：TSM7N90CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM7N90CI C0G
  仓库库存编号：TSM7N90CI C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 29A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），41W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6508
  仓库库存编号：785-1365-1-ND
  别名：785-1365-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD60N10S4L12ATMA1
  仓库库存编号：IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD60N10S4L12ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Ta） 65W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：RJK0346DPA-01#J0B
  仓库库存编号：RJK0346DPA-01#J0B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS9N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS9N60A-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  UNIFET 200V LDTU FORM
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF39N20TLDTU
  仓库库存编号：FDPF39N20TLDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ18N60P
  仓库库存编号：IXTQ18N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP18N60PM
  仓库库存编号：IXTP18N60PM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI147N12N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI147N12N3GAKSA1-ND
  别名：IPI147N12N3 G
  IPI147N12N3 G-ND
  IPI147N12N3G
  SP000652744
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB12N50C3
  仓库库存编号：SPB12N50C3INCT-ND
  别名：SPB12N50C3INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA12N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA12N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000216322
  SPA12N50C3
  SPA12N50C3IN
  SPA12N50C3IN-ND
  SPA12N50C3X
  SPA12N50C3XK
  SPA12N50C3XTIN
  SPA12N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000680996
  SPI12N50C3
  SPI12N50C3-ND
  SPI12N50C3IN
  SPI12N50C3IN-ND
  SPI12N50C3X
  SPI12N50C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM60A
  仓库库存编号：497-4368-5-ND
  别名：497-4368-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N60A
  仓库库存编号：IRFB9N60A-ND
  别名：*IRFB9N60A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB6N60A
  仓库库存编号：IRFIB6N60A-ND
  别名：*IRFIB6N60A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFSL9N60A
  仓库库存编号：IRFSL9N60A-ND
  别名：*IRFSL9N60A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60A
  仓库库存编号：IRFS9N60A-ND
  别名：*IRFS9N60A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRL
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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