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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRR
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60ATRL
  仓库库存编号：IRFSL9N60ATRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60ATRR
  仓库库存编号：IRFSL9N60ATRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 7.7A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3580
  仓库库存编号：FDD3580-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV18N60P
  仓库库存编号：IXTV18N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV18N60PS
  仓库库存编号：IXTV18N60PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8036-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8036-H(TE12L,QM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8025(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8025(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Ta） 1W（Ta），40W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3483-AZ
  仓库库存编号：2SK3483-AZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI508
  仓库库存编号：785-1457-5-ND
  别名：785-1457-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M007A090FH
  仓库库存编号：1560-1164-5-ND
  别名：1560-1164-1
  1560-1164-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M007A090H
  仓库库存编号：1560-1165-5-ND
  别名：1560-1165-1
  1560-1165-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），41W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6508_101
  仓库库存编号：AON6508_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW12N50C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW12N50C3FKSA1-ND
  别名：SP000014469
  SPW12N50C3
  SPW12N50C3IN
  SPW12N50C3IN-ND
  SPW12N50C3X
  SPW12N50C3XK
  SPW12N50C3XTIN
  SPW12N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014459
  SPP12N50C3
  SPP12N50C3IN
  SPP12N50C3IN-ND
  SPP12N50C3X
  SPP12N50C3XK
  SPP12N50C3XTIN
  SPP12N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 98W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB23NQ10LT,118
  仓库库存编号：PHB23NQ10LT,118-ND
  别名：934055798118
  PHB23NQ10LT /T3
  PHB23NQ10LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014467
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 49nC @ 10V,
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