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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16406Q3
  仓库库存编号：296-24251-1-ND
  别名：296-24251-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 4.5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 1W（Tc） TUMT6
  
  型号：RF6E045AJTCR
  仓库库存编号：RF6E045AJTCRCT-ND
  别名：RF6E045AJTCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
  
  型号：IRFH3707TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH3707TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH3707TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.8W（Ta），25W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8337TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8337TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8337TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 515mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB85UPE,115
  仓库库存编号：1727-1239-1-ND
  别名：1727-1239-1
  568-10444-1
  568-10444-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J129TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J129TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3J129TU(TE85L)CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.2A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J321T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3J321T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3J321T(TE85LF)CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.1nC @ 4.5V,
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  无铅
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